1．4．2分影還原同漿印花工藝
目前，該工藝主要應用于軍用防紅外線迷彩服的印制。許多國家將防紅外迷彩技術用于軍隊裝備，不同國家、不同兵種、不同環境，其對防紅外線參數要求各不相同。防紅外線迷彩服一般要求白天可以靠顏色達到偽裝效果，而夜晚要求其對紅外線的反射率接近紅外線對環境的反射值，以達到偽裝的效果。過去也曾采用全涂料印花工藝或分彩活性同漿印花工藝，但產品在透氣性、色牢度性能，以及夜間防紅外線性能等方面均不能滿足要求。
該工藝中，還原劑和強堿劑對分散染料有影響，因此不宜采用一相法印花固色法，而應采用兩相法印花固色法，即先汽蒸或焙烘，使分散染料固著，然后浸軋氫氧化鈉褓險粉還原液快速汽蒸，使還原染料在棉纖維上固著。織物經還原液處理，還能將沾污在棉纖維上未固著的分散染料清洗去除，提高色澤鮮艷度。
印花色漿處方／(g／kg)
分散染料x
溫水適量
還原染料Y
水適量
醚化植物膠／海藻酸鈉500～600
先用少許溫水潤濕分散染料，然后邊攪拌邊加溫水使其分散。還原染料先用少許冷水潤濕，邊攪拌邊緩慢加水，調成漿狀，最后成為染料懸浮體溶液。將分散染料和還原染料的懸浮體溶液。在不斷攪拌下，分別加入到印花糊料中。
堿性還原液處方
保險粉／(g／L) 80—100
氫氧化鈉(30％)／(mL／L) 100—140
碳酸鈉／(g／L) 40—60
水x
Invadin LDN／(g／L) 3
淀粉糊／(g／L) 100
硫酸鈉／(g／L) 50—100
工藝流程印花-烘干-高溫常壓(170—180℃，8 min)或焙烘(190—200 ℃，1．5—2 min)-浸軋堿性還原液-快速汽蒸(128—130℃，20—30 s)- 冷水溢流沖洗-雙氧水氧化(50～60℃)一皂洗-水洗-烘干
注意事項
(1)印花糊料要求遇強堿能迅速凝聚，否則浸軋堿性還原液時，花紋有滲化現象。通常采用海藻酸鈉、醚化淀粉和甲基纖維素等或其拼混物。
(2)織物浸軋堿性還原液后，應立即快速汽蒸。離開快速蒸化機后，織物上的還原染料已被還原成隱色體染著棉纖維，必須立即在平洗機上沖淋，而后進入氧化浴中，將隱色體氧化轉變成不溶性染料固著在纖維上。
(3)在波長700一l 200 nln下，迷彩服上每種顏色都有對應的紅外線反射曲線參數。棕色的紅外線反射曲線與沙漠相近，淺棕色與黃土的紅外線反射曲線相近，綠色與葉綠色的紅外線反射曲線相近等。因此，染料拼色時，應根據染料的色光和紅外線反射曲線兩項因素選擇染料。若達不到紅外線反射曲線范圍，可加適量的涂料黑，因為碳黑有較好的紅外線吸收能力。
2 防印印花工藝
防印印花就是在印花機上利用罩印的方法，達到防染印花的效果。根據花型要求，可分為一次印花(濕法罩印)和二次印花(干法罩印)，實際應用以一次印花為多。防印印花工藝是在防染印花工藝的基礎上發展起來的。當花型面積過大時，防染劑容易落入軋染槽而破壞軋染液，造成防染困難。因此在印花機上以一般色漿罩印在另一種含防染劑的色漿后，達到防止罩印處一般色漿發色的防印印花效果。
防印印花機理與防染印花相同。但防印印花過程短，印花和防染在印花機上一次完成，質量比防染印花穩定，易控制，且工藝靈活，一個花型可設計多種防印工藝，既可機械防印也可化學防印，既可局部防印也可全面防印，這些特點為其它工藝所不及。目前，防印印花工藝已被廣泛使用。
防印印花主要適用于以下幾種情況：
(1)花型相碰的各色是相反色，且不允許產生第三色。
(2)印制比地色淺的細勾線、包邊。
(3)由多種色澤組成，并具有固定輪廓的花型，僅靠對花很難印制出連續光滑的輪廓。
(4)印制深淺倒置的花樣，且不希望配置兩套篩網(或花筒)。
(5)印制深滿地精細小花，印花織物較稀松。防印印花對于精細線條、點子和云紋，很難獲得穩定的防印效果，因此印制效果不及拔染印花。常用的防印工藝介紹如下。
2．1 機械和化學半防活性染料印花
采用防染劑(白涂料)或三乙醇胺，以降低活性染料的固色率，從而獲得多層次的印制效果，工藝簡便。半防色漿處方／(g／kg)
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