2.1.2粒徑分布
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由圖2可見,ZnO粒子平均粒徑在0.25μm左右,粒徑分布相對集中,大致分布在0.13~0.37μm,具有很好的置信度.
2.1.3 SEM
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由圖3可以看出,分布在基底上的大部分顆粒呈角錐狀,角錐狀結構的形貌比較光滑、均勻,少量的顆粒呈棒狀.粒徑/nm
2.2 ZnO溶膠對真絲織物的整理工藝
2.2.1焙烘溫度
未整理真絲織物的峰值電壓為922 V,靜電半衰期為13.42 s.由表1可看出,經過整理后,真絲織物的峰值電壓和半衰期隨著溫度的升高而減小;當焙烘溫度達到160℃時,峰值電壓和半衰期達到最低值,分別為420 V、1.10 s;在170℃時又增大.原因是焙烘溫度較低時,晶核粒子間作用較弱,不能形成均勻的導電膜;隨焙烘溫度的升高,ZnO晶核粒子間作用不斷增強,在真絲表面形成均勻的導電膜.溫度過高,導電膜分裂,抗靜電性下降.因此,較佳的焙烘溫度為160℃.
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2.2.2焙烘時間
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由表2可以看出,隨著焙烘時間的延長,峰值電壓和半衰期不斷降低,抗靜電性能不斷增強;3 min時峰值電壓和半衰期達到最小值;超過3 min后,隨時間的延長,峰值電壓和半衰期不斷增大,抗靜電性能減弱.原因是焙烘時間過短,整理劑在纖維表面未能形成連續導電膜;只有當時間合適,才能產生良好的抗靜電效果;時間過長,導電膜分裂,抗靜電性能下降.因此,較佳焙烘時間為3 min.
2.3整理織物的性能
2.3.1抗靜電耐洗性
由表3可以看出,隨著洗滌次數的增加,對真絲織物抗靜電性能影響不大.說明整理劑與纖維間結合得很好,ZnO溶膠處理后織物的抗靜電性能具有很好的耐洗性.洗5次時,抗靜電性能變好.原因是整理劑與纖維之間形成了較好的結合,此時織物呈收縮狀態,粒子間空隙較小,導電膜較致密.
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2.3.2 SEM
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